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J-GLOBAL ID：200903059337585973

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 出口 司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996098310
Publication number (International publication number)：1997289318
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 イオン注入後のレーザー照射やランプ照射等による不安定性を改善したLDDをもつTFTを提供する。【解決手段】 絶縁性基板上の半導体層にドレイン領域、チャネル領域、ソース領域を形成し、上記チャネル領域に接してゲート絶縁層、ゲート電極を形成してなる薄膜トランジスタにおいて、上記ドレイン領域、ソース領域の少なくとも一部にチャネル領域の結晶性より結晶性が低い高抵抗部を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上の半導体層にドレイン領域、チャネル領域、ソース領域を形成し、上記チャネル領域に接してゲート絶縁層、ゲート電極を形成してなる薄膜トランジスタにおいて、上記ドレイン領域、ソース領域の少なくとも一部に結晶性の異なる高抵抗部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (6)：

H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G