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J-GLOBAL ID：200903059338496117

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 桜井 淳 ,  加藤 典司
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069191
Publication number (International publication number)：1994177383
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 寄生容量が小さくマスクの位置ずれがない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上には第2のゲ-ト電極2が設けられ、この第2のゲ-ト電極2上に順に第2のゲ-ト絶縁膜3、poly-Si層4、第1のゲ-ト絶縁膜7、第1のゲ-ト電極8、層間絶縁膜9及びパシベ-ション膜10が積層されると共に、第1のゲ-ト電極8と第2のゲ-ト電極2とはpoly-Si層4を挟んで略相対することのない配置となっている。また、poly-Si層4の両端部にはイオン注入によりソ-ス拡散層5及びドレイン拡散層6がそれぞれ形成されている。

Claim (excerpt)：

ソ-ス不純物拡散層とドレイン不純物拡散層との間に真性半導体領域を設けると共に、前記真性半導体領域を挟んで第1のゲ-ト電極と第2のゲ-ト電極を設け、これら第1及び第2のゲ-ト電極並びに前記真性半導体領域の積層方向において、前記第1のゲ-ト電極及び第2のゲ-ト電極は重なり領域を殆ど有しないように配置されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 P