Pat

J-GLOBAL ID：200903059340017986

半導体加速度センサとその製造方法

Inventor： 室 英夫 ,  清田 茂之 ,  三田村 健 ,  三原 輝儀
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993278032
Publication number (International publication number)：1995128365
Application date： Nov. 08, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】センサチップのシリコン面と台座側のガラス面との陽極接合が確実強固で、検出感度自己診断用静電アクチュエータの電極の形成、其の電極の取り出しが容易な構造の半導体加速度センサを提供することにある。【構成】センサチップの重錘部に静電力を及ぼす台座基板側に設けられた電極の引出し部が、センサチップ21と台座基板側ガラス面との陽極接合部を通過せず、台座基板25側に設けられた電極のための引出し部用外部配線接続個所が、センサチップ対向部の外に在るか、台座基板の外部底面に在るか、又は、センサチップの電気的孤立部表面に在るような構造にした。

Claim (excerpt)：

シリコン基板をエッチングして形成され、重錘部を肉薄の単数または複数の梁で支持する構造を有し、上記重錘部に印加された加速度を上記梁に形成されたピエゾ抵抗の抵抗値変化により検出する加速度センサ基板と、その表面に上記センサ基板重錘部に対向する領域からセンサ基板の外側まで延びる溝を設け、この溝中に重錘部に対向する表面を絶縁膜で被覆した金属電極を形成したガラスの台座基板とを陽極接合させて、上記重錘部と上記金属電極とを間隙を挾んで対向させ、その間に電圧を印加して生ずる静電力により感度を自己診断できるようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 21/00 ,  G01P 15/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-134552
  
• 特開平2-116755
  
• 特開平1-240865
  
• 特開平2-028973