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J-GLOBAL ID：200903059351086521
半導体薄膜の形成方法及びその装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992072452
Publication number (International publication number)：1993234917
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 薄膜中のキャリア濃度の制御精度が良い半導体薄膜の形成方法及びその装置を提供する。【構成】 入射窓13, 出射窓14, 試料台12, この上方に散乱光を集光するレンズ19を設けたプラズマCVD装置10内に、ドーピングガスN2 が電動リークバルブ24を介して導入する。レーザ発振器20からはレーザ光L1 がパルス化され基板Sを照射する。レーザ光L1 のパルス化はチョッパ制御計31により制御される。基板Sからの散乱光L3 はラマン分光光度計30により分光されロックインアンプ32へ入力される。ロックインアンプ32にはチョッパ制御計31からのパルス周期が入力されており、前期信号のうちこのパルス周期に同期した信号のみが検出される。中央制御計33ではこの信号をラマンスペクトルとして展開し、LO-モードのラマンシフト量及びこれより求められるキャリア濃度からドープガス濃度の増減を演算し、ガス流量制御計34に指示を与える。ガス流量制御計34はその指示により電動リークバルブ24の開閉を調節し、ガス流量のフィードバック制御を行う。
Claim (excerpt)：
不純物をガスドーピングしながら、化学気相成長法により所定のキャリア濃度を有する半導体薄膜を形成する方法において、前記半導体薄膜の形成中に該半導体薄膜の振動モードのラマンシフト量を測定する過程と、これにより前記半導体薄膜中のキャリア濃度を求める過程と、前記キャリア濃度に応じてドーピングガス量を制御する過程とを有することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, G01N 27/00
, H01L 21/31
