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J-GLOBAL ID：200903059353939580

露光方法及びデバイス製造方法

Inventor： 秋月 正彦 ,  石井 勇樹
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 立石 篤司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157113
Publication number (International publication number)：2001338860
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板上に既に形成されたパターン像にマスクのパターンを高精度に重ね合せて形成する露光方法を提供する。【解決手段】 主制御装置50は、先行レイヤの露光に際してパターン像が既に形成されたウエハW上に、次に行われる現行レイヤの露光によりマスクRのパターン像を重ねて形成する場合に、先行レイヤに形成されたパターン像の歪み情報のうち有効露光フィールドの内の一部の領域に対応する歪み情報に基づいて、有効露光フィールドの内の一部の領域について、先行レイヤのパターン像と現行レイヤのパターン像との重ね合わせ誤差が小さくなるように、現行レイヤに形成されるパターン像の歪みを調整する。従って、その一部の領域部分については、有効露光フィールドの全体について像歪みを調整する場合に比べて、重ね合せ精度を容易に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上のレイヤにマスクのパターン像を形成する露光方法において、次に露光される現行レイヤの露光の際に、前に露光された先行レイヤに形成されたパターン像の歪み情報のうち、有効露光フィールドの内の一部の領域に対応する歪み情報に基づいて、前記有効露光フィールドの内の一部の領域について前記先行レイヤのパターン像と前記現行レイヤのパターン像との重ね合わせ誤差が小さくなるように、前記現行レイヤに形成されるパターン像の歪みを調整することを特徴とする露光方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (4)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 515 D

F-Term (19)：

5F046BA03 ,  5F046BA05 ,  5F046CB12 ,  5F046CB25 ,  5F046CC01 ,  5F046CC03 ,  5F046CC05 ,  5F046CC06 ,  5F046DA13 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05 ,  5F046DC10 ,  5F046DD06 ,  5F046EB01 ,  5F046EC05 ,  5F046FA10 ,  5F046FA17 ,  5F046FA20 ,  5F046FC04