波長可変半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996341585
Publication number (International publication number)：1998190122
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】広範囲にわたる準連続波長可変動作を実現する半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層と受動導波路層が同一基板上に形成され、受動導波路層の一部に回折格子が形成され、この回析格子の周期が活性層に近い側で短く、また活性層から離れるに従って長くなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

活性層と受動導波路層が同一基板上に形成され、受動導波路層の一部に回折格子が形成され、この回析格子の周期が活性層に近い側で短く、また活性層から離れるに従って長くなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

波長可変半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203372 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-199487
特開平4-262586

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