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J-GLOBAL ID：200903059357423244

半導体装置の製造方法

Inventor： 原田 剛史 ,  西脇 徹
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995108553
Publication number (International publication number)：1996306778
Application date： May. 02, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 チタン膜を窒化雰囲気中で加熱して窒化チタン/チタンシリサイド2重層を構造とするバリアメタルを形成させる場合、バリア性を確保するために充分に厚い窒化チタン層8を形成し、またリーク電流を少なくするために充分に薄いチタンシリサイド層9を形成する。【構成】 半導体基板1上に形成した拡散層2上に層間絶縁膜3を形成し、層間絶縁膜3にコンタクトホール4を形成し、コンタクトホール4の底部にチタン膜5を堆積し、窒素雰囲気中において第1段階の熱処理を行うことによりチタン膜5の表面に窒化チタン層または窒素-チタン固溶層6を形成し、第1段階の熱処理より高温の第2段階の熱処理を行うことにより窒化チタン層または窒素-チタン固溶層6を窒化チタン層8としチタン膜5と半導体基板1との界面にチタンシリサイド層9を形成するものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成した導電層上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの底部にチタン膜を堆積する工程と、窒素雰囲気中において第1段階の熱処理を行うことにより前記チタン膜の表面に窒化チタン層または窒素-チタン固溶層を形成する工程と、前記第1段階の熱処理より高温の第2段階の熱処理を行うことにより前記窒化チタン層または窒素-チタン固溶層を窒化チタン層とし前記チタン膜と前記半導体基板との界面にチタンシリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/318 B