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J-GLOBAL ID：200903059365962022

半導体装置の検査方法

Inventor： 奈須 孝有 ,  中島 千鶴夫
Applicant, Patent owner： 日本特殊陶業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000136559
Publication number (International publication number)：2000357756
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 側面の共通導体層がメッキ後に除去されてなるセラミック製の配線基板を用いた半導体装置の検査方法で、ヘリウムリークディテクターによるヘリウムガス試験における擬似リークの発生を防止する。【解決手段】 セラミック製の配線基板の側面の共通導体層の研磨による除去後の表面粗さを十点平均粗さRz:3以下とした。共通導体層の研磨除去後の基板側面にクレバス状の深い凹溝ができないため、ヘリウムガス成分の吸着が防止され、擬似リークの発生を防げる。したがって、合格品を誤って不合格とすることがなくなる。

Claim (excerpt)：

セラミック製の配線基板の側面を、研磨後の表面粗さが十点平均粗さRz:3μm以下となるように研磨する工程と、上記配線基板に電子部品を搭載して、リッドを接合して封止して半導体装置とする工程と、封止された半導体装置を所定の容器に収容して、同容器内にガスを圧入するガス処理工程と、上記ガス処理された半導体基板を検査容器内で真空引きし、上記ガスの検出の有無にて、上記リッドの封止不良を判定する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (3)：

H01L 23/02 ,  G01M 3/04 ,  G01M 3/20

FI (3)：

H01L 23/02 Z ,  G01M 3/04 S ,  G01M 3/20 B