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J-GLOBAL ID：200903059383260833

ダイヤモンドCVD成長用基板

Inventor： 古滝 敏郎 ,  砂川 和彦
Applicant, Patent owner： 並木精密宝石株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004316590
Publication number (International publication number)：2006124249
Application date： Oct. 29, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】 ダイヤモンド基材の継ぎ目の直上部分における、CVDダイヤモンドの機械的強度を高めること。【解決手段】ダイヤモンド基材2の主面が(001)面と略平行な面を有し、該ダイヤモンド基材2の4つの側面として(010)面と略平行な結晶面および(100)面と略平行な結晶面とを各々2面ずつ有し、該ダイヤモンド基材2の主面を共有するように複数の該ダイヤモンド基材2を配置し、該主面が単一の表面を有するようにしたダイヤモンドCVD成長用基板1であって、該ダイヤモンド基材2の主面は(001)面から<110>方向に0.05°〜10°オフアングルされた同一の面を各々有し、かつ該ダイヤモンド基材2の主面の公差が±0.05°以下であることを特徴とするダイヤモンドCVD成長用基板1である。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基材の主面が(001)面と略平行な面を有し、 該ダイヤモンド基材の4つの側面として(010)面と略平行な結晶面および(100)面と略平行な結晶面とを各々2面ずつ有し、 該ダイヤモンド基材の主面を共有するように複数の該ダイヤモンド基材を配置し、 該主面が単一の表面を有するようにしたダイヤモンドCVD成長用基板であって、 該ダイヤモンド基材の主面は(001)面から<110>方向に0.05°〜10°オフアングルされた同一の面を各々有し、 かつ該ダイヤモンド基材の主面の公差が±0.05°以下であることを特徴とするダイヤモンドCVD成長用基板。

IPC (1)：

C30B 29/04

FI (1)：

C30B29/04 P

F-Term (9)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077HA13 ,  4G077HA14 ,  4G077TK06 ,  4G077TK13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭63-224225号公報