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J-GLOBAL ID：200903059385266901

半導体光結合装置とその製造方法

Inventor： 北嶋 知和 ,  北原 宏之 ,  福岡 大司
Applicant, Patent owner： 東海通信工業株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 北原 宏之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996359863
Publication number (International publication number)：1998200152
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フォトインタラプタ等の半導体光結合装置において、集光性、変換効率、指向性を良好なものとし、プリント基板への実装性を向上し、外部光による誤動作を防ぎ、しかも安価なものを提供しようとする。【解決手段】 前面にレンズ101a,102aを備える発光素子101と受光素子102とを金型内に配置した後、レンズ前方に開口したスリット20a,30aを残して前記両素子をそれぞれ囲繞し、かつ、前記両素子の各リードの根元付近を保持する構造のハウジング(第1の部分)20、30を、各素子それぞれ別体として樹脂によりインサート成形する第1の成形工程と、該成形工程により成形された発光素子を備える半製品21と、受光素子を備える半製品31とを対向させて金型内に配置した後、両者を結合するハウジング(第2の部分)40を同一材樹脂によりインサート成形する第2の成形工程とにより一体構造のハウジングを持つ半導体光結合装置を製造する。そして、第1の成形工程と第2の成形工程とに用いる金型は、1面の金型内に加工して第1、第2の両成形工程とを同一ショットで行う。

Claim (excerpt)：

前面にそれぞれレンズを備える発光素子と受光素子とを金型内に配置した後、レンズ前方に開口したスリットを残して前記両素子をそれぞれ囲繞し、かつ、前記両素子の各リードの少なくとも根元付近を保持する構造のハウジング(第1の部分)を、両素子それぞれ別体として樹脂によりインサート成形する第1の成形工程と、前記成形工程により成形された発光素子を備えるハウジング(第1の部分)と、受光素子を備えるハウジング(第1の部分)とを対向させて金型内に配置した後、両者を結合するハウジング(第2の部分)を樹脂によりインサート成形する第2の成形工程とからなることを特徴とする半導体光結合装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/12 ,  G02B 6/32 ,  G02B 6/42

FI (3)：

H01L 31/12 D ,  G02B 6/32 ,  G02B 6/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光結合装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-048244   Applicant：シャープ株式会社
• 光結合素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-268625   Applicant：シャープ株式会社