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J-GLOBAL ID：200903059392223789
磁気抵抗素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991214201
Publication number (International publication number)：1993036033
Application date： Aug. 01, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】Co系アモルファス軟磁性膜と非磁性金属膜とを積層した磁気抵抗素子であり、非磁性金属膜がCo系アモルファス軟磁性膜の間に挟挿されるような積層構造が好ましい。Co系アモルファス軟磁性膜中のCo含有量は70at%〜90at%であり、Co系アモルファス軟磁性膜および非磁性金属膜の膜厚はそれぞれ2〜100Åの範囲内であることが好ましい。【効果】本発明の磁気抵抗素子は磁気抵抗変化が大きく、保磁力および透磁率は従来のパーマロイ程度となるので磁気抵抗素子として非常に優れている。
Claim (excerpt)：
Co系アモルファス軟磁性膜と非磁性金属膜とを積層したことを特徴とする磁気抵抗素子。
Patent cited by the Patent：
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