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J-GLOBAL ID：200903059396652170
低速陽電子発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992338978
Publication number (International publication number)：1994188098
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低速陽電子の寿命の測定を可能にすると共に、測定効率を向上させた低速陽電子発生装置を提供する。【構成】 電子銃20からの電子をマイクロ波電子加速器25で加速すると共にターゲット27に衝突させて高速陽電子e+ を発生させ、その高速陽電子e+ を減速材28で減速して得られた低速陽電子e+ のパルス列を用いて試料に入射する陽電子発生装置において、試料に入射する低速陽電子e+ の最大消滅時間より長い時間間隔で電子e- を出射するように制御する制御装置21を電子銃20に設け、低速陽電子e+ のパルス列の幅を短縮する短パルス化装置29を減速材28の出射側に設けたことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
電子銃からの電子をマイクロ波電子加速器で加速すると共にターゲットに衝突させて高速陽電子を発生させ、その高速陽電子を減速材で減速して得られた低速陽電子のパルス列を用いて試料に入射する陽電子発生装置において、前記試料に入射する低速陽電子の最大消滅時間より長い時間間隔で電子を出射するように制御する制御装置を前記電子銃に設け、前記低速陽電子のパルス列の幅を短縮する短パルス化装置を前記減速材の出射側に設けたことを特徴とする低速陽電子発生装置。
IPC (2)：
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