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J-GLOBAL ID：200903059397939596

原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法

Inventor： 安原 三紀子 ,  門倉 秀公
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002191265
Publication number (International publication number)：2003347297
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】ALD法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法に関し、ALD法用の原料として特に求められている、蒸気圧が高く、分子サイズが小さく、酸素供給源やケイ素供給源と反応しやすい原料を提供し、且つそれを用いてALD法にてハフニウムシリケート薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】分子サイズが小さく、低温でも十分な蒸気圧を持ち、水との反応性が高い化合物である、Hf[N(CH3)2]4とSi(OCH3)4の組み合わせによって、ALD法にてハフニウムシリケート薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

原子層吸着堆積法(ALD法)によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法において、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウムとテトラメトキシシランと酸化剤を原料として用いることを特徴とする原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (16)：

5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16