炭素物質とその製造方法及び電子放出素子、複合材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003041835
Publication number (International publication number)：2004250280
Application date： Feb. 19, 2003
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

【課題】新しい構造を有する炭素物質及びその製造方法を提供する。また、新しい構造を有する炭素物質を電子放出材料として使用した電子放出素子を提供する。【解決手段】Ni又はNiの酸化物とIn又はInの酸化物を含んだ触媒による触媒CVD法を使用して、原料ガスを触媒の近傍で550°C〜750°Cの範囲で熱分解させて炭素物質を成長させる。これにより、炭素と金属又は金属酸化物を含む直径1〜100μmの構造体と、炭素を主成分とするとともに前記構造体の表面から放射状に複数成長しており直径200nm以下の線状体を有する炭素物質を製造する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

炭素と金属又は金属酸化物を含む直径1〜100μmの構造体と、炭素を主成分とするとともに前記構造体の表面から放射状に複数成長した直径200nm以下の線状体を含む炭素物質。

IPC (5)：

C01B31/02 , B82B1/00 , B82B3/00 , D01F9/127 , H01J1/304

FI (5)：

C01B31/02 101F , B82B1/00 , B82B3/00 , D01F9/127 , H01J1/30 F

F-Term (32)：

4G146AA01 , 4G146AA11 , 4G146AA16 , 4G146AB06 , 4G146AB10 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AD29 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC08 , 4G146BC23 , 4G146BC26 , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4L037CS03 , 4L037FA02 , 4L037FA04 , 4L037FA20 , 4L037PA05 , 4L037PA12 , 4L037UA04 , 5C135AA09 , 5C135AA13 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135AC05 , 5C135HH15 , 5C135HH16 , 5C135HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

炭素物質製造用触媒
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-403233 Applicant：大研化学工業株式会社, 中山喜萬

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Single-walled carbon nanotubes growing radially from YC2 particles

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