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J-GLOBAL ID：200903059411539601

多孔質シリカ薄膜のプラズマ処理

Inventor： イヴァン・ルイス・ベリー・ザ・サード ,  キュハ・チュング ,  キャンユアン・ハン ,  ユファン・リウ ,  エリック・スコット・モイヤー ,  マイケル・ジョン・スポールディング ,  カルロ・ウォルドフライド ,  トッド・ブリッジウォーター ,  ウェイ・チェン
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション ,  アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド
Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001568844
Publication number (International publication number)：2003528021
Application date： Mar. 20, 2001
Publication date： Sep. 24, 2003
Summary：

【要約】本発明は、低い誘電率と改善された弾性率とを有するコーティングを形成する方法を提供する。かかる方法は、少なくとも2つのSi-H基を含有する樹脂から形成される多孔質ネットワークコーティングを準備することを含み、この多孔質ネットワークコーティングを、熱硬化およびプラズマ処理するか、あるいは、プラズマ硬化する。係る熱硬化プラズマ処理コーティングまたはプラズマ硬化コーティングは、任意にアニールすることができる。アニールされた熱硬化プラズマ処理コーティングおよびアニールされたプラズマ硬化コーティングは、約1.1から約3.5の範囲の誘電率と、一般的に約4GPaより大きく、典型的には約4GPaから約10GPaの範囲の弾性率を有する。

Claim (excerpt)：

改善された特性を有するプラズマ処理コーティングを形成する方法であって、 少なくとも2つのSi-H基を含む樹脂から形成された、当初の誘電率と当初の弾性率とを有する熱硬化多孔質ネットワークコーティングを提供する工程;および 前記多孔質ネットワークコーティングをプラズマ処理して、Si-H結合の量を低減し、かつ、前記当初の誘電率よりも高い第二の誘電率と、当初の弾性率より高い第二の弾性率とを有するプラズマ処理コーティングを提供する工程を含む方法。

IPC (2)：

C01B 33/12 ,  H01L 21/316

FI (3)：

C01B 33/12 Z ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P

F-Term (11)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG03 ,  4G072RR11 ,  4G072RR25 ,  4G072UU30 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16