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J-GLOBAL ID：200903059413216540

ターゲットとその製造方法

Inventor： 光井 彰 ,  尾山 卓司 ,  佐々木 健一
Applicant, Patent owner： 旭硝子セラミックス株式会社
Agent (1)： 角田 衛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003287703
Publication number (International publication number)：2004002202
Application date： Aug. 06, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をDCスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率膜の製造方法。【解決手段】主成分がTiOX (1<X<2)である酸化物焼結体の製造方法において、二酸化チタン粉末を非酸化雰囲気でホットプレスして焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法、および該ターゲットを用いた高屈折率膜の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

主成分がTiOX (1<X<2)である酸化物焼結体の製造方法において、二酸化チタン粉末を非酸化雰囲気でホットプレスして焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。

IPC (2)：

C04B35/46 ,  C23C14/34

FI (2)：

C04B35/46 Z ,  C23C14/34 A

F-Term (16)：

4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA16 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA02 ,  4G031BA14 ,  4G031GA08 ,  4G031GA12 ,  4K029BA48 ,  4K029DC02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-141577