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J-GLOBAL ID：200903059421914486

電界シールド用透明導電膜の形成方法

Inventor： 足立 健治 ,  山中 厚志 ,  東福 淳司 ,  折田 桂一
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社 ,  東北化工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993202053
Publication number (International publication number)：1995037494
Application date： Jul. 23, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 CRT前面ガラスに、電界シールド効果、反射防止に適した透明導電膜をインク塗布法により形成する方法を提供する。【構成】 平均粒径50nm以下のITO粉末と、アルキルシリケートとをN-メチル-2ピロリジノンを含む極性溶媒に分散させた電界シールド処理液を、CRT前面ガラスに塗布乾燥した後、アルキルシリケートを含む溶液をオーバコートし、次いで大気中200〜350°Cあるいは不活性ガス、還元性ガス雰囲気中200〜450°Cで焼成する。

Claim (excerpt)：

平均粒径50nm以下のインジウム錫酸化物粉末とアルキルシリケートとを、N-メチル-2ピロリジノンを含む極性溶媒に分散させた電界シールド用処理液を、陰極線管前面ガラスに塗布、乾燥した後、アルキルシリケートを含む溶液をオーバーコートし、次いで大気中200〜350°Cの温度範囲で焼成することを特徴とする電界シールド用透明導電膜の形成方法。

IPC (2)：

H01J 9/20 ,  C03C 17/34