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J-GLOBAL ID：200903059424107000

磁気抵抗効果素子および磁気記録装置

Inventor： 上口 裕三 ,  橋本 進 ,  澤邊 厚仁 ,  佐橋 政司 ,  岩崎 仁志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038665
Publication number (International publication number)：1994326374
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 中間の非磁性金属層をできるだけ薄くした上で、強磁性層間の交換結合力を小さくすることによって、抵抗変化感度の向上を図った磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 一対の強磁性層1、1間に、少なくとも 2種類の非磁性金属材料からなる非磁性金属薄膜2a、2bの積層構造を有する中間非磁性金属層2を介在させた磁気抵抗効果素子である。中間非磁性金属層2は、強磁性層1との界面側に配置される非磁性金属薄膜2aのフェルミエネルギーが、強磁性層1のフェルミエネルギーのうち、電子スピン依存平均自由行程が長いスピン方向におけるフェルミエネルギーにより近い値を有し、かつ隣接する 2種類の非磁性金属薄膜2a、2b間のフェルミエネルギーの差が 0.5eV以上に設定されている。

Claim (excerpt)：

少なくとも一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層間に介在され、少なくとも 2種類の非磁性金属薄膜の積層構造を有する中間非磁性金属層とを具備する磁気抵抗効果素子であって、前記強磁性層との界面側に配置される前記非磁性金属薄膜のフェルミエネルギーは、前記強磁性層のフェルミエネルギーのうち、電子スピン依存平均自由行程が長いスピン方向におけるフェルミエネルギーにより近い値を有し、かつ前記 2種類の非磁性金属薄膜間のフェルミエネルギーの差は 0.5eV以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10