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J-GLOBAL ID：200903059428395336
ウエットエッチング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994058360
Publication number (International publication number)：1995245287
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 大型の半導体基板に対して、エッチング液噴射によるエッチングを行う際にエッチング速度分布の均一化を図り、精度の良いエッチングを行う。【構成】 回転保持機構12にて保持された基板10の上方に、エッチング液を噴射するノズル18と、このノズル18が取り付けられかつノズル18を基板10の少なくとも回転中心部領域及び回転状態での外縁部の上方を通過する経路で連続移動させるノズル移動機構と、を有するエッチング液噴射機構を設けた。これにより、保持された基板10の回転動作とノズル18の移動動作とが相まってその基板の大きさ如何に拘らず表面全領域にエッチング液の供給を確実に行うことが可能となる。従って、エッチング速度分布の均一性も向上する。
Claim (excerpt)：
被エッチング物である金属薄膜が表面に形成された基板を保持しかつこれを所定速度で回転させる回転保持機構と、前記保持された基板の前記金属薄膜表面に対しエッチング液を吹き付けるエッチング液噴射機構と、を備えたウエットエッチング装置において、前記エッチング液噴射機構は、エッチング液を噴射するノズルと、該ノズルがその噴射口を前記金属側に向けて取り付けられ、かつ該ノズルを前記基板の少なくとも前記回転中心部領域及び前記回転状態での外縁部の上方を通過する経路で連続移動させるノズル移動機構と、を有することを特徴とするウエットエッチング装置。
Patent cited by the Patent：
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