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J-GLOBAL ID：200903059442702403

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 片岡 有三
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280298
Publication number (International publication number)：1995130849
Application date： Oct. 14, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バリア層上に真空中で連続してAl系膜を形成できるようにする。【構成】 Al(アルミニウム)を主成分とする金属層4を電極配線とする半導体装置において、該金属層4がTa(タンタル)を主成分とする金属層3を介してシリコン半導体領域1と電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

Al(アルミニウム)を主成分とする金属層を電極配線とする半導体装置において、該金属層がTa(タンタル)を主成分とする金属層を介してシリコン半導体領域と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 N