有機強誘電体メモリ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：布施行夫 , 大渕美千栄 , 伊奈達也 , 竹腰昇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005072578
Publication number (International publication number)：2006261178
Application date： Mar. 15, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】小型化・大容量化及び製造プロセスの容易化を実現することにある。【解決手段】有機強誘電体メモリ1000は、第1の薄膜トランジスタ110を含む駆動回路部180と、ソース・ドレイン電極140,142、有機半導体層144、ゲート絶縁層146及びゲート電極148を有する第2の薄膜トランジスタ150と、下部電極162、有機強誘電体層164及び上部電極166を有し、かつソース・ドレイン電極140,142のいずれか一方に電気的に接続されている強誘電体キャパシタ160と、を含むメモリセル部182と、を含む。メモリセル部182は、駆動回路部180の上方に積層されている。【選択図】図21

Claim (excerpt)：

第1の薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、ソース・ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタと、下部電極、有機強誘電体層及び上部電極を有し、かつ前記ソース・ドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続されている強誘電体キャパシタと、を含むメモリセル部と、を含み、前記メモリセル部は、前記駆動回路部の上方に積層されている、有機強誘電体メモリ。

IPC (5)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (5)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 449 , H01L29/28 , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B

F-Term (69)：

5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083FZ07 , 5F083GA10 , 5F083GA29 , 5F083HA02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA33 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F110AA16 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-042783 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

Return to Previous Page