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J-GLOBAL ID：200903059462156472

多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法

Inventor： 飯島 康裕 ,  田辺 信夫
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992293464
Publication number (International publication number)：1994145977
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のc軸を配向させることができ、成膜面と平行な面に沿って結晶粒の結晶軸のa軸とb軸を揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から50〜60度の範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に堆積させるものである。【効果】 本発明は構成粒子を効率的に活性化できる結果、基材の成膜面に対してc軸配向性に加えてa軸配向性とb軸配向性をも向上させた粒界傾角30度以下の多結晶薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

スパッタリングによりターゲットの構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から50〜60度の範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に堆積させることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

IPC (10)：

C23C 14/46 ,  C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/54 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-054757
  
• 特開平4-072062
  
• 特開平2-311398
  
• 特開平4-331795