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J-GLOBAL ID：200903059462367414
有機金属気相成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997292562
Publication number (International publication number)：1999126754
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】【課題】有機金属気相成長において、同一成長温度および成長圧力下で、キャリア濃度分布の均一性を向上させる方法を提供することにある。【解決手段】成長速度の制御により、又は、成長速度とV/III 比を制御することにより、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御し、これにより各薄膜の結晶成長の際に、キャリア濃度の面内分布が均一となる最適な成長速度で成長させる。
Claim (excerpt)：
半絶縁性GaAs基板上に、一層もしくは複数の薄膜を成長させる有機金属気相成長方法において、成長速度の制御により、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御することを特徴とする有機金属気相成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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