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J-GLOBAL ID：200903059477685994

半導体発光素子とその製造方法

Inventor： 大坪 孝二 ,  小路 元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103402
Publication number (International publication number)：1994314855
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光素子とその製造方法に関し、平坦で他の光機能素子と積層集積化が容易で、微小共振器を容易に形成することができ、無しきい値動作が可能な高信頼低消費電力の半導体発光素子を提供する。【構成】 第1導電型半導体基板1上に第1導電型半導体多層膜反射鏡2を形成し、その上に大きいハンドギャップを有する半導体層からなるブロック層4を形成し、このブロック層4の一部を除去して開口を形成し、開口を有するブロック層4の上の全面に共振器構造13を形成し、この共振器構造13のブロック層4の上に形成された部分を除去して平坦化し、その上に反対導電型半導体多層膜反射鏡14を形成し、光の非出射面に電極16を形成し、光の出射面に電極17と無反射コーティング18を形成する。第1導電型半導体多層膜反射鏡2の上に共振器メサを形成した後、その周囲にブロック層を形成することもできる。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上に第1導電型半導体多層膜反射鏡と半導体微小共振器と反対導電型半導体多層膜反射鏡とコンタクト層が積層され、該半導体微小共振器の側面が大きいバンドギャップの半導体によって覆われていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00