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J-GLOBAL ID：200903059488679791
太陽電池素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992334136
Publication number (International publication number)：1994181323
Application date： Dec. 15, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【構成】 半導体基板の複数の所定箇所にスルーホールを形成して太陽電池素子を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記半導体基板の複数の所定箇所をエッチングで薄肉にし、しかる後、この薄肉部分にレーザ光を照射してスルーホールを形成する。【効果】 半導体基板の所定箇所のみの厚みを薄くすることから、その所定箇所が極端に薄くすることができ、レーザ光を照射してスルーホールを形成する際に径の小さいスルーホールを形成でき、もって受光面積を増大させて、太陽電池の特性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の複数の所定箇所にスルーホールを形成して太陽電池素子を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記半導体基板の複数の所定箇所をエッチングで薄肉にし、しかる後、この薄肉部分にレーザ光を照射してスルーホールを形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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