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J-GLOBAL ID：200903059490830499

結晶欠陥検出方法およびその装置

Inventor： 古川 純 ,  小川 智哉 ,  南郷 脩史
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  ラトックシステムエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 瀧野 秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220002
Publication number (International publication number)：1995072092
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 全反射を利用して結晶表面近傍に存在する結晶欠陥を検出するようにした結晶欠陥検出方法に関し、VLSIなどの製造上最も重要である結晶表面近傍の結晶欠陥の深さ方向の位置検出精度を高め、結晶表面近傍の結晶欠陥を確実かつ精度良く検出することのできる欠陥検出方法を提供することを目的とする。【構成】 結晶表面2で全反射するように赤外線レーザービームBを結晶側壁面5から結晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面2の全反射点位置に存在する結晶欠陥dからの赤外線レーザービームBの散乱光を当該赤外線レーザービームの走査面と直交する側に配置した観測光学系3,4で検出することにより、結晶表面近傍の結晶欠陥を検出するようにした。

Claim (excerpt)：

結晶表面で全反射するように赤外線レーザービームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外線レーザービームの散乱光を当該赤外線レーザービームの走査面と直交する側に配置した観測光学系で検出することにより結晶表面近傍の結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥検出方法。

IPC (2)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-012254
  
• 結晶欠陥検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-312844   Applicant：株式会社東芝