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J-GLOBAL ID：200903059491764104

半導体装置の製造方法

Inventor： 西村 芳郎
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994282477
Publication number (International publication number)：1996125154
Application date： Oct. 24, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小型化及び薄型化を図れる半導体装置を容易に製造可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1の表面部に半導体素子2を形成し、基板1の表面に絶縁層3を形成する。そして半導体素子2の電極部4に対応する部分の絶縁層3にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール上と絶縁層3の所定部分に配線パターン5を形成する。次いで、半導体素子2の形成領域以外の半導体基板1を除去し、半導体基板1の除去した部分に残存する絶縁層3及び配線パターン5を所定位置で切断してリード6とし、リードを備えた半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

電極部を備えた半導体素子を表面上に形成した半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、少なくとも前記半導体素子電極部上の前記絶縁層を除去し前記半導体素子電極部及び絶縁層上の所定部分に導電層を形成する工程と、前記半導体素子形成領域以外の半導体基板部分を除去する工程と、半導体基板除去部に残存する絶縁層及び導電層を所定の長さに切断し、半導体素子のリード部とする工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/60 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭51-022352
  
• 特開昭63-289944