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J-GLOBAL ID：200903059501806501

半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： セサレ ロンシスバーレ
Applicant, Patent owner： コンソルツィオ ペル ラ リセルカ スーラ マイクロエレクトロニカ ネル メッツォジオルノ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991067634
Publication number (International publication number)：1994005866
Application date： Mar. 08, 1991
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の逆方向降伏電圧を高める。【構成】 基板とその上のエピタキシャル層との間の陽極接合11の縁部を上方に立上げてチップ表面にて終端させ、この終端部に不活性層を被着し、さらにこの層の上に電界プレートを被着したことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

第1導電形の基板と、該基板上に反対導電形のエピタキシャル層とを具えているチップ内に形成され、前記基板とエピタキシャル層とが陽極接合を構成する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ型の半導体デバイスにおいて、前記チップの周辺部に沿ってトップ-ボトム側部隔離領域(5)が形成され、前記陽極接合(11) の側部が上方にはね返り、チップの表面領域にて終端し、該終端個所にSiO2層(15)及びデバイスの電界プレートを構成する金属層を順次被覆するようにしたことを特徴とする半導体デバイス。