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J-GLOBAL ID：200903059506325145

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： ▲高▼山 徹 ,  内藤 浩樹 ,  清水 裕一
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992106289
Publication number (International publication number)：1993299767
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 動作電流値の低い半導体レーザ装置を提供する。【構成】 In0.5(Ga1-XAlX)0.5P層からなる活性層4の主面の少なくとも一方の側にその活性層に接して形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y1AlY1)0.5P第一光ガイド層5と、その第一光ガイド層5上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y2AlY2)0.5P第二光ガイド層6と、その第二光ガイド層6上に形成された逆の導電型でストライプ状の窓7aを有するIn0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層7と、上記ストライプ状の窓部を含むIn0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層7上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y3AlY3)0.5P層9とを有し、Al混晶比を決めるX,Y1,Y2,Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2≦X≦0NでかつY1>Y2の関係が成立するようにした。

Claim (excerpt)：

In0.5(Ga1-XAlX)0.5P層からなる活性層の主面の少なくとも一方の側にその活性層に接して形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y1AlY1)0.5P第一光ガイド層と、その第一光ガイド層上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y2AlY2)0.5P第二光ガイド層と、その第二光ガイド層上に形成された逆の導電型でストライプ状の窓を有するIn0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層と、前記ストライプ状の窓部を含む前記In0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y3AlY3)0.5P層とを有し、Al混晶比を決めるX,Y1,Y2,Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2≧X≧0NでかつY1>Y2の関係が成立するようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-250685
  
• 特開昭63-136586
  
• 特開平3-053578