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J-GLOBAL ID：200903059522256161
絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 和年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999317413
Publication number (International publication number)：2000164885
Application date： Nov. 10, 1990
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】不純物の拡散を防止し、信頼性の高い薄膜絶縁ゲイト型半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明によると、絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置が提供される。
Claim (excerpt)：
基板上に絶縁膜をスパッタリング法で形成し、前記絶縁膜上に半導体膜をスパッタリング法で形成し、前記半導体膜上にゲイト絶縁膜をスパッタリング法で形成することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法。
IPC (6)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/283
, H01L 21/316
, H01L 21/322
, H01L 29/78
H01L 29/78 617 S
, H01L 21/283 L
, H01L 21/316 Y
, H01L 21/322 R
, H01L 29/78 301 G
