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J-GLOBAL ID：200903059532482542
化学気相成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293174
Publication number (International publication number)：1993132393
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 原料蒸気濃度を連続的に測定することにより、保守性の優れた、膜厚再現性の高い化学気相成長装置を得ることを目的とする。【構成】 赤外線の発生する光源10と、ガスヘッド8の両側部に設けられた赤外線を透過する赤外線透過窓9と、ガスヘッド8内をTEOSの濃度に比例して吸収する赤外線の量を測定する分光および検出器11とを備えたものである。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハの入った反応室にガスヘッドを通じて原料蒸気と反応ガスとを供給し、半導体ウエハの表面に原料蒸気と反応ガスとの反応により反応生成膜を形成する化学気相成長装置において、所定の波長の光を発生させる光源と、前記ガスヘッドの内部を透過する前記光の量を検出し前記原料蒸気の濃度を検出する濃度検出手段とを備えたことを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (6)：
C30B 25/16
, C23C 16/44
, G01N 21/35
, G01N 21/59
, H01L 21/31
, H01L 21/205
