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J-GLOBAL ID：200903059533825230

架橋性エラストマー用フィラーおよびそれを含有する架橋性エラストマー組成物

Inventor： 川口 晴司 ,  野口 剛 ,  山外 隆文 ,  岸根 充
Applicant, Patent owner： ダイキン工業株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999117265
Publication number (International publication number)：2000309704
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 極めて異物の混入を嫌う半導体製造装置における封止のためのシール材など用の組成物に配合する、酸素プラズマ照射およびCF4プラズマ照射のいずれにおいても重量変化が小さいフィラーおよび架橋性エラストマー組成物を提供する。【解決手段】 酸素プラズマ照射およびCF4プラズマ照射前後の重量変化がいずれも4mg/cm2・hr以下であるイミド構造を有する架橋性エラストマー用のフィラー、および該フィラーとフッ素系エラストマーなどの架橋性エラストマーとからなる架橋性エラストマー組成物。

Claim (excerpt)：

流量200sccm、圧力280ミリトール、RF電力400Wおよび照射時間54分間の条件で測定した酸素プラズマ照射およびCF4プラズマ照射前後の重量変化がいずれも4mg/cm2・hr以下である架橋性エラストマー用のフィラー。

IPC (12)：

C08L 79/08 ,  C08J 5/00 CEW ,  C08J 5/00 CFH ,  C08J 7/04 CEW ,  C08J 7/04 CFH ,  C08K 5/3477 ,  C08L 27/12 ,  C08L 83/04 ,  C09D 7/12 ,  C09D127/12 ,  C09K 3/10 ,  H01L 21/3065

FI (14)：

C08L 79/08 Z ,  C08J 5/00 CEW ,  C08J 5/00 CFH ,  C08J 7/04 CEW Z ,  C08J 7/04 CFH Z ,  C08K 5/3477 ,  C08L 27/12 ,  C08L 83/04 ,  C09D 7/12 A ,  C09D127/12 ,  C09K 3/10 G ,  C09K 3/10 M ,  C09K 3/10 Z ,  H01L 21/302 B

F-Term (69)：

4F006AA18 ,  4F006AA42 ,  4F006AB19 ,  4F006AB39 ,  4F006CA08 ,  4F006DA04 ,  4F071AA26 ,  4F071AA60 ,  4F071AA67 ,  4F071AE02 ,  4F071AG16 ,  4F071BC01 ,  4F071BC07 ,  4H017AA03 ,  4H017AA04 ,  4H017AA39 ,  4H017AB12 ,  4H017AB15 ,  4H017AB17 ,  4H017AD06 ,  4H017AE05 ,  4J002BD14W ,  4J002BD15W ,  4J002BD16W ,  4J002CF16X ,  4J002CH09X ,  4J002CM05X ,  4J002CN01X ,  4J002CN03X ,  4J002CP03W ,  4J002CP08W ,  4J002EH146 ,  4J002EJ036 ,  4J002EK036 ,  4J002EK056 ,  4J002EN086 ,  4J002EN096 ,  4J002EN106 ,  4J002EN116 ,  4J002ER016 ,  4J002ES016 ,  4J002EU026 ,  4J002EU196 ,  4J002EV226 ,  4J002EW066 ,  4J002EZ016 ,  4J002FD146 ,  4J002GH01 ,  4J002GH02 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ00 ,  4J038CD091 ,  4J038CD121 ,  4J038CD131 ,  4J038DF052 ,  4J038DJ022 ,  4J038DJ052 ,  4J038DK002 ,  4J038DK012 ,  4J038KA08 ,  4J038MA02 ,  4J038PB09 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 電子回路パッケージのためのレーザー加工性で、低熱膨張率、低誘電率のコア材料、そのコア材料および電子回路パッケージの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-255635   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平3-239389
  
• 特開昭63-281152
  
• 特開昭59-108068
  
• 特開平4-351667
  
• 特開平3-185067
  
• 特開平3-239389
  
• 特開昭63-281152
  
• 特開昭59-108068
  
• 特開平4-351667
  
• 特開平3-185067
  
• 特開平3-237150