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J-GLOBAL ID：200903059552604008

薄膜容量素子

Inventor： 小松 周一 ,  阿部 和秀 ,  山下 洋八
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992257824
Publication number (International publication number)：1994112082
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 リーク電流を低減しかつ密着性の良好な薄膜容量素子を提供することを目的とする。【構成】 電荷を蓄積する誘電体層と、この誘電体層を介して対向形成された1対の電極とを備えてなる薄膜容量素子において、前記誘電体層が一般式ABO3で表わされるペロブスカイト構造からなり(Aはストロンチウム、バリウム、カルシウムのうち少なくとも1種、Bはチタン、ジルコニウムのうち少なくとも1種からなる)、かつバナジウム、ニオブ、タンタル、アンチモン、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジュウム、ネオジュウム、ガドリニウム、又はホロミウムのうち少なくとも1種が0.05原子%以上、0.3原子%未満含まれることを特徴とする。【効果】 リーク電流が低減し、かつ密着性が良好となる。

Claim (excerpt)：

電荷を蓄積する誘電体層と、この誘電体層を介して対向形成された1対の電極とを備えてなる薄膜容量素子において、前記誘電体層が一般式ABO3 で表わされるペロブスカイト構造からなり(Aはストロンチウム、バリウム、カルシウムのうち少なくとも1種、Bはチタン、ジルコニウムのうち少なくとも1種からなる)、かつバナジウム、ニオブ、タンタル、アンチモン、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジュウム、ネオジュウム、ガドリニウム、又はホロミウムのうち少なくとも1種が0.05原子%以上、0.3原子%未満含まれることを特徴とする薄膜容量素子。

IPC (5)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 415 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108