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J-GLOBAL ID：200903059567940799

結晶成長方法及び結晶成長装置

Inventor： 秋山信之
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991115236
Publication number (International publication number)：1993279172
Application date： Apr. 20, 1991
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 単結晶成長の成長速度向上による、生産性の向上を図るのを目的とする。 【構成】 単結晶成長装置内に、温度制御板を設け、融液表面の温度分布を理想的な状態に常時維持する。

Claim (excerpt)：

容器内に充填され、外部加熱手段により溶融状態とした素材融液中に、種結晶を浸漬して徐々にこれを引上げることにより、結晶を成長させる方法において、融液充填域上方の結晶引上げ域を取り囲む領域に温度制御板を設けることにより、融液表面の温度分布を、結晶引上げ中引上げ結晶下の固液界面において最も低く、容器内壁面に向かう方向に次第に高く常時維持することを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/14