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J-GLOBAL ID：200903059572701484

シリコン単結晶の製造装置

Inventor： 関 康之 ,  西崎 克己 ,  村上 雅宏 ,  金田 洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992095311
Publication number (International publication number)：1993294782
Application date： Apr. 15, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】CZ法によるシリコン単結晶の製造において、多結晶の析出や成長速度増大による結晶変形等を抑え、低酸素濃度のシリコン単結晶の安定的な引上げを達成する。【構成】融液2の表面上方に同心円状の多段のサブヒータ5を設置することにより、ルツボ1の壁の温度を下げても適切な融液表面の温度分布を得る。

Claim (excerpt)：

シリコン融液表面の上方に、それぞれ温度制御可能な同心円状の多段のサブヒータを備えたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。

IPC (3)：

C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208