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J-GLOBAL ID：200903059574191033

被膜形成装置および被膜形成方法

Inventor： 林 茂則 ,  伊藤 健二 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190030
Publication number (International publication number)：1996030968
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】カソード側に配置された導電性の基体表面にDLC膜の成膜を行なう。【構成】15〜100Torrの圧力で、かつ電極間隔を6mm以下とすることにより、高密度のプラズマを形成し、アノード側にイオンシースを形成する。そして、イオンのボンバードメントを利用してDLC膜を形成する。また成膜中において、基体に対して超音波振動を与えつつ成膜を行う。

Claim (excerpt)：

電磁エネルギーが印加される第1の電極と、接地された第2の電極を対向して配置し、高周波電界の印加により、該第1および第2の電極間でプラズマを生成し、該プラズマ中に導入した原料ガスを活性化せしめて被膜を形成する被膜形成装置において、前記第1の電極と第2の電極の間隔は6mm以下であり、かつ、前記電極間の圧力は15Torrから100Torrの間であることを特徴とする被膜形成装置。

IPC (4)：

G11B 5/84 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-090125
  
• 特開平4-090125
  
• 特開平4-047524
  
• 特開平4-047524