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J-GLOBAL ID：200903059621274708

半導体装置

Inventor： 秋月 伸也 ,  前田 和久 ,  執行 ひとみ ,  河本 紀雄
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051948
Publication number (International publication number)：1995094641
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 流動性が良好であり、低線膨張係数、低吸湿および高強度に優れたエポキシ樹脂組成物およびこれを用いて封止されているためにTCTテストで評価される各特性および半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 エポキシ樹脂、ノボラック型フェノ-ル樹脂、硬化促進剤および無機質充填剤を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置において、エポキシ樹脂の1エポキシ当量とノボラック型フェノ-ル樹脂の1水酸基当量のみを溶融混合してなる系の150°CでのICI粘度を2.0ポアズ以下に設定したことを特徴とする構成である。

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂(A)、ノボラック型フェノ-ル樹脂(B)、硬化促進剤および無機質充填剤を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置において、上記(A)および(B)として、(A)の1エポキシ当量と(B)の1水酸基当量のみを溶融混合してなる系の150°CでのICI粘度を2.0ポアズ以下に設定したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/62 NJS

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092375   Applicant：株式会社日立製作所