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J-GLOBAL ID：200903059629741739

GaN系の半導体発光素子

Inventor： 柴田 直樹 ,  小滝 正宏
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999065882
Publication number (International publication number)：2000261031
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 発光効率の高いGaN系の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上にGaN系の半導体層の形成を容易にするバッファー層、AlGaNからなる第1の層、Ti、Zr、Hf、若しくはTa、又は、それらの2種以上の金属の窒化物からなる反射層を設け、その上にInGaN等、GaN系半導体からなる発光層を設ける。

Claim (excerpt)：

基板と、バッファ層と、AlXGa1-XN(0≦X≦1)からなる第1の層と、金属窒化物からなる反射層と、InYGa1-YN(0≦Y≦1)からなる発光層と、が順次連続して積層された構造を備えてなるGaN系の半導体発光素子。

F-Term (15)：

5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85