マイクロダイヤモンド電極製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西村竜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004184243
Publication number (International publication number)：2006010357
Application date： Jun. 22, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】ダイヤモンドを用いたマイクロ電極42pやマイク電極42pを複数備えたアレイ電極を製造する場合に、電極表面を高精度に製造可能とすることで、計測精度などに優れた測定を可能とするマイクロダイヤモンド電極42を得る方法を提供する。【解決手段】シリコン等の基板411上にダイヤモンド薄膜42を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜42をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極42pを設けるエッチング工程とを備えるようにする。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

基板上にダイヤモンド薄膜を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極を設けるエッチング工程とを備えたことを特徴とするマイクロダイヤモンド電極製造方法。

IPC (2)：

G01N 27/30 , G01N 27/416

FI (3)：

G01N27/30 B , G01N27/30 F , G01N27/46 316Z

F-Term (9)：

4K030AA07 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BB03 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-111811 Applicant：イムラ・ジャパン株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁, 魚崎浩平

Cited by examiner (10)

ケミカルドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-263696 Applicant：芝浦メカトロニクス株式会社
ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-111811 Applicant：イムラ・ジャパン株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁, 魚崎浩平
電子放出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-072733 Applicant：松下電器産業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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