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J-GLOBAL ID：200903059631724981
光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993063778
Publication number (International publication number)：1994275914
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】歪量子井戸層を有する半導体レーザや半導体光増幅器などの光半導体装置に関し、歪量子井戸のポテンシャルエネルギーを深くし、さらに温度特性も向上すること。【構成】3元の混晶の半導体結晶からなる基板1と、前記基板1の上に形成される歪量子井戸構造2,3,4の活性部とを含む。
Claim (excerpt)：
3元の混晶の半導体結晶からなる基板(1)と、前記基板(1)の上に形成される歪量子井戸構造(2、3、4)の活性部とを有することを特徴とする光半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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