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J-GLOBAL ID：200903059633892725

製品の製造方法

Inventor： クリストファー エイ ボウラー ,  スンゴー ジン ,  ウェイ ツ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外12名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001045300
Publication number (International publication number)：2001262343
Application date： Feb. 21, 2001
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブの制御された成長を達成する改良された方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法によれば、15 ゚未満の平均偏差で平坦又は非平坦基板の局所表面に垂直に相似的に整列されたナノチューブを生成することができ、同時に、ナノチューブの直径、長さ及び位置を制御することができる。特に、本発明は高周波プラズマ・エンハンストか悪気相成長法(PECVD)を、好ましくは、アセチレン-アンモニア化合物と共に、また、典型的には触媒金属としてコバルトを使用し、前記のような結果を得ることができる。

Claim (excerpt)：

(a)表面上に触媒金属層を有する平坦又は非平坦表面からなる基板を準備するステップと、(b)生成されたカーボンナノチューブが前記局所基板表面に対して垂直に相似的に整列されるように、気相炭素系化合物と共にプラズマ・エンハンスト化学気相成長処理を行うことにより前記触媒金属層上にカーボンナノチューブを成長させるステップとからなる、ことを特徴とする製品の製造方法。

IPC (4)：

C23C 16/26 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 301 ,  C01B 31/02 101

FI (4)：

C23C 16/26 ,  B01J 35/02 A ,  B01J 37/02 301 P ,  C01B 31/02 101 F