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J-GLOBAL ID：200903059652060170
気相エピタキシャル成長装置および成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994250675
Publication number (International publication number)：1996115881
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】治具を交換するだけで、繰返し結晶欠陥のないエピタキシャル成長ができるようにして、作業効率を大幅に向上する。【構成】縦型式気相エピタキシャル成長装置は、反応管1内に設置されたサセプタ3の上面に基板2をセットして高温に保ち、基板の上部のガス導入管4より原料ガスを流して化学反応を生じさせ、この反応により基板表面に薄膜を成長させる。基板上部のガス導入管4の内壁に、内壁と同形状で交換可能な治具9を接触して取り付ける。これにより、薄膜成長時の反応生成物の付着はガス導入管の内壁ではなく、交換可能な治具9の内壁に付着する。
Claim (excerpt)：
反応管内に設置されたサセプタの上面に基板をセットして高温に保ち、前記基板の上部より原料ガスを流して化学反応を生じさせ、該反応により前記基板表面に薄膜を成長させる気相エピタキシャル成長装置において、前記基板上部の反応管の内壁に、該内壁を覆う交換可能な治具を接触させて取り付けたことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/46
