カーボンナノチューブの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：池浦敏明 , 池浦敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000259692
Publication number (International publication number)：2002069643
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 500〜850°C程度の低い温度及び10-4〜10-1Paという低い圧力の条件下において、電界を印加することなく高品質のカーボンナノチューブを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 10-4〜10-1Paの圧力に保持され、かつマイクロ波が導入され、さらに該マイクロ波に磁場が印加されているプラズマ発生室内に含炭素材料の気体を導入して、該含炭素材料の電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させるとともに、該プラズマを500〜850°Cの温度に保持された基板と接触させ、該基板上にカーボンナノチューブを垂直方向に堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

Claim (excerpt)：

10-4〜10-1Paの圧力に保持され、かつマイクロ波が導入され、さらに該マイクロ波に磁場が印加されているプラズマ発生室内に含炭素材料の気体を導入して、該含炭素材料の電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させるとともに、該ガスプラズマを500〜850°Cの温度に保持された基板と接触させ、該基板上にカーボンナノチューブを垂直方向に堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (5)：

C23C 16/26 , B82B 3/00 , C01B 31/02 101 , C23C 16/511 , H05H 1/46

FI (5)：

C23C 16/26 , B82B 3/00 , C01B 31/02 101 F , C23C 16/511 , H05H 1/46 C

F-Term (17)：

4G046CA02 , 4G046CB01 , 4G046CB09 , 4G046CC06 , 4G046CC08 , 4G046CC09 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BB01 , 4K030CA01 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA02 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

カーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置及び該薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-000299 Applicant：日本真空技術株式会社
スロットアンテナを用いたカーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置及び該薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-108319 Applicant：株式会社アルバック
カーボンナノチューブの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161292 Applicant：キヤノン株式会社

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