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J-GLOBAL ID：200903059655153373

磁気抵抗トランスデューサ

Inventor： テイエリー・バレ ,  ステフアヌ・テイク
Applicant, Patent owner： トムソン-セーエスエフ
Agent (1)： 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993152321
Publication number (International publication number)：1994097534
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 温度変化による測定誤差が小さく、構成の簡素化された磁気抵抗トランスデューサを提供する。【構成】 本発明のトランスデューサは、非磁性で且つ絶縁または半導体材料中に注入された磁性材料粒子を含む少なくとも1つの複合材料層を含む。この層には、少なくとも一方の側面上に堆積された2つの電極が備えられている。粒子の磁化に影響し得る外部磁場がない場合には、それらの磁化はランダムに配向される。十分に高い磁場の作用下では、粒子の磁化はこの磁場の向きに沿って配向され、この層の抵抗率は変化する。この抵抗率を測定することにより磁場が検出される。

Claim (excerpt)：

非磁性であり且つ絶縁性または半導体材料中に磁性材料粒子を含む少なくとも1つの複合材料層を含んでおり、前記層が、該層の少なくとも一方の側面上に配置された2つの電極を含むことを特徴とする磁気抵抗トランスデューサ。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/39 ,  H01C 10/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特許第5043693号
  
• 特開平2-040972
  
• 特開昭61-234083
  
• 特開昭63-071914