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J-GLOBAL ID：200903059664018071

スパッタリングターゲット

Inventor： 上田 忠雄 ,  竹村 一成 ,  玉井 宏
Applicant, Patent owner： 三菱化成株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992253482
Publication number (International publication number)：1994081141
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウムスパッタリングターゲットに関し、LSIの配線の信頼性向上を目的とする。【構成】 アルミニウムスパッタリングターゲットの結晶構造を、そのスパッタ表面において、X線回折法で測定された結晶方位含有率の内(200)方位含有率が他の方位含有率よりも大きいように構成し、このターゲットから得られる配線膜の(111)方位含有率を高くして、形成されるLSIのアルミニウム配線の信頼性を向上させる。

Claim (excerpt)：

アルミニウム又はアルミニウム合金から成り、そのスパッタ表面において、X線回折法で測定された結晶方位含有率の内(200)方位含有率が他の方位含有率よりも大きいことを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301