半導体素子の金属配線形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305500
Publication number (International publication number)：1997139360
Application date： Nov. 01, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、コンタクト抵抗を低減させ工程収率及び素子動作の信頼性を向上させることができる半導体素子の金属配線形成方法を提供することにその目的がある。【解決手段】本発明に伴う半導体素子の金属配線形成方法は、半導体基板を提供する工程と前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に多結晶シリコン層と金属シリサイド層でなる下側配線を形成する工程と、前記下側配線上に前記金属シリサイド層の一部分を露出させるコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクトホールを介し前記下側配線の金属シリサイド層の露出した表面に不純物をイオン注入して非晶質化させる工程と、前記金属シリサイド層の非晶質化した部分を熱処理して結晶化させる工程と、前記下側配線の金属シリサイド層の結晶窒化した部分上に上側配線を形成する工程を含んでなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を提供する工程;前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程;前記絶縁膜上に多結晶シリコン層と金属シリサイド層でなる下側配線を形成する工程;前記下側配線上に前記金属シリサイド層の一部分を露出させるコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程;前記コンタクトホールを介し前記下側配線の金属シリサイド層の露出した表面に不純物をイオン注入して非晶質化させる工程;前記金属シリサイド層の非晶質化した部分を熱処理して結晶化させる工程;前記下側配線の金属シリサイド層の結晶窒化した部分に、上側配線を形成する工程を含んでなる半導体素子の金属配線形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-281351
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211492 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-317005 Applicant：日本電気株式会社

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