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J-GLOBAL ID：200903059676658874
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000197258
Publication number (International publication number)：2001028449
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】【解決手段】絶縁性基板状に形成されたTFT等の薄膜状半導体素子において、該半導体素子の下に緩衝用絶縁膜を介して窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等からなる第1のブロッキング膜を形成し、さらに、TFTの上に第2のブロッキング膜を形成し,前記第1および第2のブロッキング膜でTFTを覆うことによって基板やその他外部からの可動イオンの侵入を阻止するとともに、TFTのチャネル領域とゲイト絶縁膜中にはハロゲン元素が1×1018cm-3以上、5×1018cm-3以下だけ存在することを特徴とする薄膜状半導体素子およびその作製方法。
Claim (excerpt)：
基板表面に接する窒化珪素でなる第1のブロッキング膜と、前記ブロッキング膜の上方に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを包んで形成された窒化珪素でなる第2のブロッキング膜と、を有する半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 626 C
Cited by examiner (9)
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