Pat

J-GLOBAL ID：200903059676990798

半導体装置の製造方法

Inventor： 尾山 勝彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295231
Publication number (International publication number)：1996153739
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】片面樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体装置を製造する際、チップ外縁・基板外縁間の距離が微小の場合でも、低いコスト、高い信頼性で実現し、パッケージ構造の一層の小型化を図る。【構成】被接続部1bを含む配線1aを一主面に有すると共に被接続部に電気的に接続されている外部接続用端子4を他主面に導出・露出させた配線基板領域1が複数個連なった回路基板10を形成する工程と、それぞれ各配線基板領域の被接続部に対応する電極端子部を有する複数個の半導体チップ2を電極端子部と被接続部とが固定接続された状態で各配線基板領域上に実装する工程と、この後、回路基板上におけるチップ・基板間に封止用樹脂を充填して硬化させる工程と、この後、回路基板を各配線基板領域毎に分割する工程とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被接続部を含む配線を一主面に有すると共に上記被接続部に電気的に接続されている外部接続用端子を他主面に導出・露出させた配線基板領域が複数個連なった回路基板を形成する工程と、それぞれ上記各配線基板領域の被接続部に対応する電極端子部を有する複数個の半導体チップを、上記電極端子部と前記被接続部とが固定接続された状態で上記各配線基板領域上に実装する工程と、この後、前記回路基板上における前記半導体チップと配線基板領域との間に封止用樹脂を充填する工程と、上記充填した封止用樹脂を硬化させる工程と、この後、上記回路基板を前記各配線基板領域毎に分割する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2)：

H01L 23/12 F ,  H01L 23/30 R