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J-GLOBAL ID：200903059691094650

有機n型半導体およびこれを用いた有機太陽電池

Inventor： 上田 裕清
Applicant, Patent owner： 株式会社日本触媒
Agent (1)： 宇井 正一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993243145
Publication number (International publication number)：1995106613
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 新規な有機n型半導体およびそれを用いた有機太陽電池を提供する。【構成】 次の一般式:【化1】〔式中、Xはハロゲン原子を表し、16個のXの内、ふっ素原子が12個以上で他が塩素原子または臭素原子である〕で表されるふっ素化バナジルフタロシアニンを導電性基板上に薄膜化して作成される有機n型半導体およびそれを用いた有機太陽電池である。

Claim (excerpt)：

一般式〔1〕:【化1】〔式中、Xはハロゲン原子を表し、16個のXの内、ふっ素原子が12個以上で他が塩素原子または臭素原子である〕で表されるふっ素化バナジルフタロシアニンを用いて成る有機n型半導体。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  C07D487/22 ,  C07F 9/00 ,  H01L 51/00

FI (2)：

H01L 31/04 D ,  H01L 29/28