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J-GLOBAL ID：200903059702494222
パターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018421
Publication number (International publication number)：1994232041
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電離放射線によるリソグラフィ工程において、反応性イオンエッチング耐性を有するレジスト上への、解像度ならびにスループットの高いパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、電離放射線照射により分解ならびに蒸発する性質を有する、シリコン、シリコン化合物、ポリシラン、スルホニル基を含むシリコン含有の高分子、ならびに金属、金属化合物をレジストとして用い、さらに露光を真空中、ないしは反応ガスおよびそのプラズマ、イオン雰囲気中で行うことを特徴とする。【効果】 従来のリソグラフィにおいて問題となるレジストの形状劣化を低減するとともに工程を簡略化し、高解像度、高スループットを実現する。
Claim (excerpt)：
X線、紫外線、電子線等の電離放射線を用いてレジスト膜上に所望のパターンを形成するリソグラフィにおいて、該レジスト膜を基板に直接ないしは一層以上の積層材料を介して形成すると共に、反応ガス雰囲気、もしくはそのラジカル、イオン、プラズマ雰囲気中で電離放射線を照射することにより、露光と同時にレジストを分解・蒸発させ、所望のパターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 361 R
, H01L 21/30 301 A
